熱電膜/Thermoelectric films

(Bi2Te3, Bi2Sb3,BiSbTe)

製品概要

電解めっき技術により、熱電発電素子1やペルチェ素子2などに応用できる高性能熱電薄膜を実現しました。電解めっきを利用することで厚膜を堆積でき、またレジストなどを型として用いたパターニングが可能であることを特徴とします。

1  ペルチェ素子は、電流を流すと温度差を発生できる素子で電子冷却に用いられています。

2  熱電発電素子は温度差を与えると発電する素子で、温度差発電に用いられています。

性能

1. Bi2Sb3膜(n型の熱電半導体)

 厚さ:100 nm~ 1mm

 ゼーベック係数(Seebeck coefficient)  ~  -145 µV/K

 電気伝導度(Electrical conductivity) ~    750 S/cm

 熱伝導率(Thermal conductivity)  ~  0.8 W/mK

2. Bi-Sb-Te 膜(p型の熱電半導体)

 厚さ:100nm~ 0.5 mm

 ゼーベック係数(Seebeck coefficient)  ~  250 µV/K

 電気伝導度(Electrical conductivity) ~    10000 S/cm

Bi:Sb:Te ~ 0.12:0.28:0.6

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